Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203876| Заглавие документа: | Исследование кинетики процесса удаления фоторезистивных покрытий с полупроводниковых пластин в объеме плазмы СВЧ разряда |
| Другое заглавие: | The kinetics process investigation of photoresistive coating removing from semiconductor plates in plasma volume of the microwave discharge / S.V.Bordusov |
| Авторы: | Бордусов, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 64-66 |
| Аннотация: | Представлены результаты анализа динамики процесса удаления фоторезистивных плёночных защитных покрытий в объеме плазмы СВЧ разряда в кислороде и характера изменения интенсивности свечения спектральной линии 01 (Л=844,6 нм), используемой для контроля за удалением фоторезиста в случае обработки большого количества кремниевых пластин. |
| Аннотация (на другом языке): | The method of optical emission spectroscopy was used to investigate the process of removing photoresistive film coatings from the surface of semiconductor plates in plasma volume of the microwave discharge in oxygen. The correlation dependence between the alteration of the line OI(A=844,6 nm) intensity character and the photoresistive coating state during microwave processing was found out. The line OI(A=844,6 nm) was chosen because it is used in photoresist removing process control during ashing in the volume of microwave discharge. The received results show that the processes in the volume of microwave discharge has a specific features in comparison with the same processes In the high frequency discharge. This differences are caused by the high chemical activity of microwave plasma, considerable absorbing of microwave energy by material of semiconductor plates, the higher degree of skinning microwave electromagnetic field in plasma etc. The submitted results will be useful in the development of technological processes of plasmachemical photoresist coating removing in microwave discharge devices of various types. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203876 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.