Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203872| Заглавие документа: | Влияние плазмоструйной обработки на модификацию моп структур |
| Другое заглавие: | The effect of arc plasma jet treatment upon MOS structure modification / V.V.Andreev, G.G.Bondarenko, V.M.Maslovsky, A.A.Stolyarov |
| Авторы: | Андреев, В. В. Бондаренко, Г. Г. Масловский, В. М. Столяров, А. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 57-59 |
| Аннотация: | Установлено, что плазмоструйная обработка приводит к образованию в объёме плёнки ЗіОг электронных ловушек с сечениями захвата от 2-10"^^ см^ до 10'^® см^. Величина отрицательного заряда, накапливаемого на созданные ПСО ловушки при сильнополавой туннельной инжекции электронов из кремния, возрастает с увеличением электрического поля. Показано, что ПСО может значительно снижать плотность и скорость генерации новых электронных ловушек в двуокиси кремния, возникающих при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов в диэлектрик. |
| Аннотация (на другом языке): | In this work the effect of arc plasma jet treatment (APJT) upon the electric parameters of Si-Si02-polysilicon MOS structure has been investigated. The Ar-air plasma flow was formed by multiple jet electric arc generator at atmospheric pressure. Besides this there was also provided the investigation of radiation spectra in 350-1100 nm range in radial direction of Ar plasma flow near the wafer surface. The investigation of electric parameter modification of MOS structure by APJT has been carried out by the controlled current stress technique. The technique is based on a controlled current stress application to sample and time-dependant voltage measurements on the structure. Energy flow density under stressing the APJT on a surface was in order of (1 ...5) 10^ W/nm^ at a fraction of seconds of the stress time and 8 kW of argon plasma jet power. The stress intensity and the wafer pulse heating temperature were adjusted by the plasma-surface contact time. It is shown that under the Fowler-Nordheim electron injection from silicon the amount of accumulating negative charge has got the field-effect dependence, growing with the increase of electric field. The electron traps created by plasma jet treatment have got the capture crosssection from 2-10"" cm^ to 10"^® cm^ which let to identify them as hydroxy! groups in the ЗіОгАІт. It is found that with the waferpulse heating temperature ramp under plasma jet treatment, the decrease of the density of electron traps created in ЗІОг occurs. This phenomenon seems to be connected with the annealing of some of electron traps and can be used to control theirdensity. These results were attributed to a structural modification of ЗІОг and its interfaces as a result of APJT. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203872 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.