| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 1999 | Dark i-v characteristics of hydrogenated microcrystalline CdS films | Fedotov, A.; Manego, S.; Mazanik, A.; SurviIo, L.; Tarasik, M.; Trofimov, Yu.; Uiyashin, A.; Yanchenko, A. |
| 1999 | Defects in Cu(lnGa)Se2/CdS heterostructure films induced by hydrogen ion implantation | Yakushev, M. V.; Tomlinson, R. D.; Hill, А. E.; Pilkington, R. D.; Mudryi, A. V.; Bodnar, I. V.; Victorov, L. A.; Gremenok, V. F.; Shakin, L. A.; Patuk, A. I. |
| 1999 | Flux creep in irradiated Bi2Sr2CaCu2Oy single crystal | Gatalskaya, V. I.; Gatalskii, G. V.; Kurochkin, S. L. |
| 1999 | Formation of buried high-resitant layers in silicon by two-step substoichiometric implantation of nitrogen IONS | Kamyshan, A. S.; Solov’yev, V. S.; Rusetsky, A. M. |
| 1999 | Investigation of metal evaporation and film deposition at middle vacuum by using a glow discharge electron gun | Porytsky, P. V.; Kononov, A. V.; Denbnovetsky, S. V.; Melnyk, V. I.; Melnyk, I. V. |
| 1999 | Long-range effect and self-organization processes induced by low-energy ion irradiation in solids | Tereshko, I. V.; Khodyrev, V. I.; GIushchenko, V. V.; Konchalenko, V. N.; Tereshko, A. M.; Vinogradov, D. L. |
| 1999 | Some aspects of hydrogen plasma treatment of anti-modulation doped near surface GaAs/AIGaAs single quantum well structures/ Yu. A. Bumai, G. Gobsch, R. Goldhahn, N. Stein, A. Golombek, V. Nakov, T. S. Cheng | Bumai, Yu. A.; Gobsch, G.; Goldhahn, R.; Stein, N.; Golombek, A.; Nakov, V.; Cheng, T. S. |
| 1999 | Study of instability o f a plasm a channel interface under electrical pulse discharge in liquid | Porytsky, P. V.; Kononov, A. V.; Starchyk, P. D.; Voitenko, L. M. |
| 1999 | Surface modification of refractory alloys with high-power pulsed ion-beam treatment and arc-pulsed ion implantation | Shulov, V. A.; Nochovnaya, N. A.; Remnev, G. E.; Ryabchikov, A. I. |
| 1999 | Surface modification of titanium alloys by intense pulsed electron beams | Nochovnaya, N. A. |
| 1999 | The application of atomic hydrogen effects in silicon and silicon electronic devices technologies | Ulyashin, A. G.; Fedotov, A. K. |
| 1999 | The mechanisms of element redistribution in the surface layer of multicomponent alloys during their irradiation by high power pulsed ion beams | Shulov, V. A.; Nochovnaya, N. A.; Remnev, G. E.; Kalenov, V. A. |
| 1999 | TREK1 - комплекс программ моделирования ионного легирования материалов электронной техники | Леонтьев, А. В.; Нечаев, С. В. |
| 1999 | Активация ионов Si В GaAs при высокоинтенсивной имплантации As | Бумай, Ю. А.; Горупа, К. С.; Акимов, А. Н.; Власукова, Л. А. |
| 1999 | Аморфные углеродные покрытия на быстрорежущей стали | Углов, В. В.; Кулешов, А. К.; Русальский, Д. П. |
| 1999 | Анализ легких элементов (С, N, О) и пределы их обнаружения методом Резерфордовского обратного рассеяния в конструкционных материалах | Францкевич, А. В.; Кикинев, А. А. |
| 1999 | Анализ состава W-Re сплава по рентгеновскому излучению К-серии и мгновенному у-излучению из ядерных реакций | Левенец, В. В.; Щур, А. А.; Омельник, А. П.; Запорожченко, В. А.; Усиков, Н. П.; Диордица, В. А. |
| 1999 | Анализ химических связей в алюминии, последовательно имплантированном ионами углерода и азота | Углов, В. В.; Черенда, Н. Н.; Данилюк, А. Л.; Ходасевич, В. В. |
| 1999 | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч. 2 | - |
| 1999 | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. | - |
