Logo BSU

Просмотр "2001. Взаимодействие излучений с твердым телом" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 122 - 133 из 133 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2001Фазовые превращения в ионно-аморфизированном кремнии, инициируемые импульсным воздействием излучения эксимерного лазераИвлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.
2001ФМР исследования металл-полимерных композитных пленок, формируемых путем имплантации ионов железа в вязкую силаксановую подложкуХайбуллин, Р. И.; Жеглов, Е. П.; Рамеев, Б.; Акташ, Б.; Попок, В. Н.; Азарко, И. И.; Кондюрин, А. В.
2001Формирование доноров в облученном ионами водорода германииПокотило, Ю. М.; Литвинов, В. В.; Петух, А. Н.; Камышан, А. С.
2001Формирование интерметаллидных слоев при высокоинтенсивной ионной имплантацииРябчиков, А. И.; Козлов, Э. В.; Шаркеев, Ю. П.; Фортуна, С. В.; Степанов, И. Б.; Шулепов, И. А.; Курзина, И. А.; Конева, Н. А.
2001Формирование полупроводниковых силицидов методом ионно-лучевого синтезаИваненко, Л. И.
2001Формирование слоев Сх→зМу→4 методом высокодозной имплантации азота в систему Si3N4/C/Si3N4/SiКомаров, А. Ф.; Пилько, В. В.; Никифоренко, Н. Н.; Емельянов, В. А.; Карват, Ч.
2001Фотоиндуцированный захват подвижных молекул в антраценсодержащих полимерных слояхГрицай, Ю. В.; Могильный, В. В.
2001Центры рекомбинации в облученном гамма квантами 60Со p-GeЯвид, B. Ю.; Челядинский, А. Р.
2001Электронномикроскопическое исследование углеродистой стали, насыщенной гелием и подвергнутой послерадиационной фазовой перекристаллизацииРеутов, В. Ф.; Сохацкий, А. С.
2001Эффект переключения типа проводимости в алмазе при облучении заряженными частицамиШаршунов, Д. В.
2001Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные мощным электромагнитным излучениемБолтовец, Н. С.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Колядина, Е. Ю.; Матвеева, Л. А.; Миленин, В. В.; Атанасова, Е.
2001Эффекты самоорганизации, вызванные накоплением антиструкгурных дефектов в кристаллах под облучениемМихайловский, В. В.; Сугаков, В. И.