Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203544
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
dc.contributor.author | Новиков, А. Г. | - |
dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
dc.contributor.author | Зайков, В. А. | - |
dc.date.accessioned | 2018-08-17T08:39:06Z | - |
dc.date.available | 2018-08-17T08:39:06Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.other | № госрегистрации 20163109 | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203544 | - |
dc.description.abstract | Объектом исследования являлись гетероструктуры PtSi/a-Si и PtSi/poly-Si, выращенные и легированные различными методами на подложках SiO2/Si3N4/Si, структуры с плазмонными нанопустотами, а также диодные структуры на основе PtSi/Si для мембранных микроболометрических матриц. Цель работы - разработка фундаментальных основ технологии формирования и исследование структурных и электрофизических свойств барьеров (диодов) Шоттки, сформированных на аморфном и поликристаллическом кремнии для повышения эффективности микроболометрических матриц в мембранном исполнении. Основные технологические методы и методы исследований: химическое осаждение из газовой фазы, молекулярно-лучевая эпитаксия, магнетронное распыление, быстрый термический отжиг, селективное травление, просвечивающая и растровая электронная микроскопия, фотопроводимость, оптическая спектрометрия и др. В результате проведенной работы разработаны режимы формирования барьерных структур и микроболометрических матриц на их основе; на подложках SiO2/Si3N4/Si изготовлены гетероструктуры PtSi/a-Si и PtSi/poly-Si, слои с нанопустотами, а также диоды PtSi/Si в мембранном исполнении; исследованы структурные, оптические и электрические характеристики слоев аморфного и поли-кремния, силицидов платины, а также структур и диодов на их основе в зависимости от режимов формирования и обработки. Результаты работы могут быть использованы при разработке приборов оптоэлектроники и, в частности, мембранных микроболометрических матриц. Использование нано-пустот в таких приборах позволит повысить их эффективность за счет плазмонных эффектов. Результаты работы будут использованы при подготовке НИОКР по разработке микроболометрических матриц, совместимых с интегральной технологией. Такие матрицы применяются в качестве сенсорных датчиков, устройств контроля, а также в научных исследованиях. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика | ru |
dc.title | Исследование процессов формирования и электрофизических свойств гетероструктур PtSi/poly-Si для разработки на их основе микроболометров : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. Гайдук | ru |
dc.type | report | ru |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2018 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
гайдук.doc | 15,37 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.