Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196364Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Власукова, Людмила Александровна | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Фадей Фадеевич | - |
| dc.contributor.author | Дидык, Александр Юрьевич | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-30T06:49:33Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-30T06:49:33Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 3. – С. 24-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196364 | - |
| dc.description.abstract | Damage in InP crystals irradiated with swift xenone ions had been investigated by selective etching. The threshold value of specific electronic energy losses for track formation in crystalline InP had been estimated as 19 keV/nm for continuous tracks and 16 keV/nm for discontinuous tracks. Thermal stability of tracks delineated in this material by selective etching had been estimated. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Радиационные повреждения в кристаллах InP, облученных ионами ксенона c энергией 595 МэВ | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.