Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196214Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Акимов, Александр Николаевич | - |
| dc.contributor.author | Власукова, Людмила Александровна | - |
| dc.contributor.author | Быковский, Владимир Анатольевич | - |
| dc.contributor.author | Шох, Владимир Федорович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-28T10:45:21Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-28T10:45:21Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 1. – С. 34-38. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196214 | - |
| dc.description.abstract | The structure transformations in neutron-transmutation doped GaAs during the isochronal annealing have been investigated using selective etching and electrical measurements. The rearrangements of impurity-defect system of radiated with thermal neutrons high fluences crystals under the annealing in the range of temperatures 300-500 °C have been analyzed. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование отжига нейтроннолегированного арсенида галлия c помощью селективного травления | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.