Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196102Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Деркач, Александр Николаевич | - |
| dc.contributor.author | Гранько, Сергей Владимирович | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Фадей Фадеевич | - |
| dc.contributor.author | Леонтьев, Александр Викторович | - |
| dc.contributor.author | Сугакова, Татьяна Евгеньевна | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-25T08:44:57Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-25T08:44:57Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2001. - № 1. – С. 26-31. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196102 | - |
| dc.description.abstract | The problem questions of the ion beam masking in microelectronics are considered. It shown, that the decision of the put task consists of two parts: a choice of optimum thickness of a protective mask and control of the technological defect. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Проблемы применения фоторезистивных масок в технологии КМОП-интегральных схем | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.