Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/193624Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Fedotov, A. S. | - |
| dc.contributor.author | Svito, I. A. | - |
| dc.contributor.author | Gusakova, S. V. | - |
| dc.contributor.author | Shepelevich, V. G. | - |
| dc.contributor.author | Saad, A. | - |
| dc.contributor.author | Mazanik, A. V. | - |
| dc.contributor.author | Fedotov, A. K. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T07:40:37Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T07:40:37Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Materials Today: Proceedings 2 ( 2015 ) 629 – 636 | ru |
| dc.identifier.isbn | 2214-7853 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/193624 | - |
| dc.description.abstract | The dependences of resistivity, magnetoresistance, Hall effect and thermoEMF in the 4 – 300 K temperature range and in magnetic fields up to 8 T were studied for the Bi1-xSnx (0 ≤ x ≤ 0.006) diluted alloys produced by the melt spinning method. The observed decrease of conductivity and magnetoresistance with doping is explained in terms of charge carriers scattering on tin atoms, whereas the shift of the Hall and Seebeck coefficients to the range of positive values is connected with enhanced contribution of holes in the charge transport. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Electronic properties of Bi-Sn diluted alloys | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Bi-Sn-fedotov2015.pdf | 1,14 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.