Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/193596Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Bashkirov, S. A. | - |
| dc.contributor.author | Gekkel, V. S. | - |
| dc.contributor.author | Tivanov, M. S. | - |
| dc.contributor.author | Saad, A. M. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-30T07:46:32Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-30T07:46:32Z | - |
| dc.date.issued | 2018-03 | - |
| dc.identifier.citation | Materials Letters. – 2018. – Volume 220. – Pages 126–128. | ru |
| dc.identifier.isbn | 0167577X | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/193596 | - |
| dc.description.abstract | Abstract Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were synthesized by sulfurization of subsequently electrochemically deposited Cu/Sn/Zn metal precursors on Mo foil substrates in melted sulfur on air at the temperature of 440 °C close to the sulfur boiling point for 1 hour. The films contain only CZTS phase with lattice parameters a = 5.422 ± 0.002 Å and c = 10.811 ± 0.006 Å and components at. % ratio: Cu/(Sn+Zn) = 1.05, Zn/Sn = 1.22, (Cu+Sn+Zn)/S = 0.93. The film surface is densely packed without cracks or pinholes. The obtained results show the practical ability to obtain CZTS thin films by a novel technically simple and low-cost liquid-based process. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | : Elsevier BV. | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Сu2ZnSnS4 thin films by sulfurization in melted sulfur | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2018_Mat_Let_proof.pdf | 660,93 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.