Logo BSU

Просмотр "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 107 - 126 из 207 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфораВабищевич, С. А.; Бринкевич, С. Д.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2019Активация воды контура охлаждения циклотрона Cyclone 18/9 HC при наработке 18FБринкевич, Д. И.; Малиборский, А. Я.; Бринкевич, Д. С.
20-мар-2023Анализ применения гамма-бета-спектрометра МКС-АТ1315 для контроля нежелательных радионуклидов, образующихся в процессе производства радиофармпрепаратовКийко, А.Н.; Вабищевич, С.А.; Вабищевич, Н.В.; Бринкевич, Д.И.
2022Ап-конверсионная люминесценция ионов Er3+ в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессованияГапоненко, Н. В.; Судник, Л. В.; Витязь, П. А.; Лученок, А. Р.; Степихова, М. В.; Яблонский, А. Н.; Лашковская, Е. И.; Шустикова, К. В.; Радюш, Ю. В.; Живулько, В. Д.; Мудрый, А. В.; Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.
2018Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами бораВабищевич, С. А.; Васюков, А. В.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2018Взаимодействие атомов сурьмы с микропорами в кремнииОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Челядинский, А. Р.
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2021Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
ноя-2023Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шумаБуслюк, В.В.; Дереченник, С.С.; Оджаев, В.Б.; Просолович, В.С.; Ластовский, С.Б.; Нерода, И.Ю.; Федосюк, Д.Н.; Черный, В.В.; Янковский, Ю.Н.
2019Влияние процессов старения на электромагнитные свойства хлоропренового каучукаБыченок, Д. С.; Подрез, Я. Ю.; Sela, R.; Адамчук, Д. В.; Ксеневич, В. К.; Naveh, N.
10-мая-2023Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодовКовальчук, Н.С.; Ластовский, С.Б.; Оджаев, В.Б.; Петлицкий, А.Н.; Просолович, В.С.; Шестовский, Д.В.; Явид, В.Ю.; Янковский, Ю.Н.
2022Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремнийПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В.
2019Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазовАзарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А.
2019Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импедансГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
2021Влияние электронного облучения на никельсодержащие дефекты в алмазеАзарко, И. И.; Сидоренко, Ю. В.; Карпович, И. А.; Коновалова, А. В.; Шаронов, Г. В.; Гусаков, Г. А.
2022Градоотводы Наркевича-Иодко и поиск дополнительных источников электрической энергииГапоненко, О. А.; Поклонский, Н. А.; Самуйлов, В. А.
2019Деградация электрофизических свойств манганитов под воздействием излученияДоросинец, В. А.
2019Диффузионно-дрейфовая модель миграции ионов по междоузлиям двумерной решеткиПоклонский, Н. А.; Бурый, А. О.; Абрашина-Жадаева, Н. Г.; Вырко, С. А.
2019Долгоживущие β-излучающие радионуклиды при производстве радиофармпрепаратов на основе 18FБринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Вабищевич, С. А.; Крот, В. О.; Малиборский, А. Я.