Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/185191
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKolesov, E. A.-
dc.contributor.authorTivanov, M. S.-
dc.contributor.authorKorolik, O. V.-
dc.contributor.authorApel, P. Yu.-
dc.contributor.authorSkuratov, V. A.-
dc.contributor.authorSaad, A. M.-
dc.contributor.authorKomissarov, I. V.-
dc.contributor.authorSwic, A.-
dc.contributor.authorZukowski, P. V.-
dc.contributor.authorKoltunowicz, T. N.-
dc.date.accessioned2017-11-16T11:24:39Z-
dc.date.available2017-11-16T11:24:39Z-
dc.date.issued2017-06-30-
dc.identifier.citationJournal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. – Volume 9, № 3 – Pages 03020-1 - 03020-4.ru
dc.identifier.issn2310-8584.-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/185191-
dc.description.abstractCVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 1011 cm 2) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from ~ 24 to ~ 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from ~ 4.0 × 103 to ~ 1.3•103 cm2/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherSumy State Universityru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleRaman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ionsru
dc.typearticleru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
jnep_V9_03020.pdf427,39 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.