Оптимизация структуры и режимов работы твердотельных лазеров с диодной накачкой и модификация характеристик алмазных детекторных структур при высокотемпературных и радиационных воздействиях : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. И. Буров

Abstract

Объект исследования – лазерные системы, синтетические алмазы и детекторные структуры на их основе. Цель работы – разработка методов описания формирования усиленного излучения в полупроводниковых лазерах и твердотельных лазерах с диодной накачкой, исследование влияния высокотемпературных и радиационных воздействий на фотоэлектрические и спектральные характеристики алмазных детекторов ультрафиолетового излучения на основе кристаллов СТМ «Алмазот» В результате проведенной работы разработана обобщенная методика расчета спектрально-поляризационной структуры выходного излучения поверхностно излучающих полупроводниковых лазеров с учетом анизотропии коэффициентов усиления, потерь и отражения, позволившая окончательно сформулировать принципиально новый метод описания формирования поляризованного излучения в полупроводниковых лазерах. Данная методика позволяет не только однозначно описать процессы поляризационной динамики и дать им простую физическую интерпретацию. Экспериментально установлен диапазон «стойкости» детекторов на основе синтетических алмазов СТМ «Алмазот» к температурным и радиационным воздействиям. Температурный диапазон работоспособности детекторных структур на основе «беспримесных» алмазов ограничен сверху температурой около 800 С. Снижение фоточувствительности детекторных структур, облученных электронами (Е = 6 МэВ), ионами He (Е= 5,147 МэВ), ионами Xe (Е= 167 МэВ) начинается при флюенсах более 1014 см-2, 1010 см-2, 108 см-2, соответственно. Установленные режимы работы детекторов важны для их практического использования в фотоприемниках. Результаты работы использованы при составлении проекта в рамках программы ГКНТ “Эталоны и научные приборы”.