Влияние термического и лазерного отжига на люминесценцию тонких пленок нитрида кремния с избытком кремния

Abstract

Представлены результаты по воздействию термической и лазерной обработки на фотолюминесценцию тонких пленок нитрида кремния с избытком кремния 5-7 %, полученных методом плазмохимического газофазного осаждения. Термический отжиг проводился при температурах 900-1100°C в течение часа. Лазерный отжиг осуществлялся с помощью наносекундных импульсов излучения рубинового лазера с плотностью энергий в диапазоне 0.45-1.4 Дж/см2. Показано, что импульсный лазерный отжиг с плотностью энергии 1.1 Дж/см2 приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции на порядок и сдвигу максимума ФЛ в синюю область, в то время как после равновесного изотермического отжига наблюдается сдвиг максимума ФЛ в красную область и снижение интенсивности свечения = The effect of thermal and laser annealing on photoluminescence (PL) of PECVD silicon nitride films with Si excess 5−7 % has been investigated. The thermal treatment was carried out at 900–1100 °C for hour. The laser annealing was realised by nanosecond impulses of ruby laser at density of energy in the range of 0.45–1.4 J/cm2. It was shown, impulse laser annealing with density of energy 1.1 J/cm2 results in increase of PL intensity and blue shift of PL maxima, while thermal annealing results in quenching luminescence and red shift of PL maxima