Фотолиз пленок оксида графена монохроматическим вакуумным ультрафиолетовым излучением

Abstract

Исследованы процессы фотолиза оксида графена монохроматическим вакуумным излучением резонансной криптоновой лампы с длиной волны 123.6 нм. Изменения состава и электронной структуры пленок оксида графена при фотолизе изучали методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Зависимость поверхностной энергии пленок оксида графена от дозы облучения исследовали методом контактного угла смачивания для воды и глицерина. Показано, что под действием монохроматического излучения с длиной волны 123.6 нм в вакууме происходит частичное восстановление пленки оксида графена в основном за счет отрыва полярных групп С-О. Уменьшение концентрации полярных групп приводит к симбатному уменьшению поверхностной энергии пленки оксида графена за счет уменьшения ее полярной составляющей. При этом происходит также заметное увеличение проводимости пленки при достаточно высоких дозах облучения до значений 0.1 – 0.6 Сименс/см, соответствующих органическим полупроводникам = Photolysis of grapheme oxide films was carried out by monochromatic vacuum ultraviolet (VUV) radiation (wavelength 123,6 nm). Chemical composition, conductivity and surface energy was characterized by XPS, four points conductivity method and contact angle measurements depending on VUV dosage. Photo reduction and significant increase of conductivity was observed as a result of VUV irradiation. Reduction of surface concentration of oxygen containing polar groups result in the decrease of surface energy