Моделирование влияния проникающих излучений на биполярные и МДП-транзисторы

Abstract

В работе моделируются радиационно-индуцированные изменения рабочих характеристик МДП и биполярных полупроводниковых структур на кремнии, происходящие при воздействии на них корпускулярного и электромагнитного излучения. Приведены зависимости изменения порогового напряжения МДП-структур, а также коэффициента усиления биполярных транзисторов от дозы облучения. Отдельно приведены результаты расчёта максимальных радиусов расплавленных областей в SiO2 при облучении ионами различных масс и энергий = The radiation effects in the solids and the radiation-induced changes in the operational characteristics of MOS and bipolar semiconductor structures under the particle and EM radiation have been considered. The numerical simulations of the radiation-induced changes in the MOS threshold voltage due to X-rays, the radiation-induced changes in the BJT current gain due to 1.2 MeV γ-ray irradiation and the radiation effects in silicon structures due to single high-energy heavy particles have been performed. The results of simulation show the significant degradation of the operational characteristics of semiconductor devices that can be the cause of the critical malfunction