Особенности накопления дефектов в ядерно-легированном кремнии при изменении интенсивности облучения

Abstract

Исследовано влияние интенсивности электронного облучения на образование радиационных дефектов (РД) в ядерно-легированном кремнии (ЯЛК). Обнаруженные особенности накопления РД в ЯЛК обусловлены наличием в его объеме примесно-дефектных скоплений (ПДС), которые эффективно взаимодействуют с генерируемыми облучением вакансиями с образованием А-центров. Установлено, что при увеличении интенсивности облучения происходит изменение зарядового состояния вакансий, в силу чего эффективность их взаимодействия с ПДС резко уменьшается = The influence of the electron irradiation intensity on the formation of radiation defects (RD) in nuclear-doped silicon (NDSi) was investigated. The results were obtained by measuring of the temperature dependencies of Hall Effect. Peculiarities of the RD accumulation occur in NDSi because of the presence of impurity-defect clusters (IDC) in the volume of crystals. These IDC effectively interact with the radiation-generated vacancies with the formation of A-centers. The considerable decrease of the interaction efficiency of IDC with vacancies owing to the change in their charge state with increasing irradiation intensity was established