Моделирование на ЭВМ распределений по глубине вакансионных нанокластеров в конструкционных материалах, облученных ионами

Abstract

Проведено моделирование на ЭВМ распределений по глубине вакансионных нанокластеров в железе и кремнии, облученных ионами углерода, азота, титана и др. Установлено, что концентрация нанокластеров Сk медленно возрастает с увеличением глубины материала, достигает максимума и затем резко спадает до нуля на конце пробега иона. С ростом энергии налетающей частицы максимум кривой уменьшается и сдвигается вправо по оси глубин = Model operation on the computer of distributions on depth the vakansionnykh of nanoclusters in the iron and silicon irradiated with ions of carbon, nitrogen and titanium, etc. is carried out. It is established that concentration of nanoclusters Сk sluggishly increases with increase in depth of material, reaches a maximum and then sharply falls down to zero on the end of a run of an ion. With body height of energy of the flying particle the maximum of a curve decreases and moves on an axis of depths to the right