Радиационная модификация полупроводниковых соединений III-V для повышения стабильности параметров сенсоров магнитного поля

Abstract

Экспериментально доказана эффективность предварительной радиационной модификации In-содержащих полупроводниковых соединений III-V для повышения стабильности параметров изготовленных на их основе сенсоров Холла при работе в потоках реакторных нейтронов до флюенсов 4∙1017 н∙см-2. Описан механизм, отвечающий за стабилизацию чувствительности сенсоров. Определен оптимальный уровень ядерного легирования при радиационной модификации, которая обеспечивает наибольшую стабильность параметров сенсоров в радиационных условиях = It is experimentally confirmed that a preliminary radiation modification of In-containing III-V semiconductor compounds is effective method for a parameters stability improvement of Hall sensors based on these compounds when operating in the fluxes of reactor neutrons up to fluence 4×1017 n∙cm-2. The mechanism responsible for a sensor sensitivity stabilization is described. The optimal level of nuclear doping taken place at radiation modification is determined, which provides the largest sensors parameters stability in radiation environment