Уровни обобщенных конфигураций дивакансий в кремнии

Abstract

Исследована подвижность электронов в высокоомном Si, выращенном методом бестигельной зонной плавки и методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. Предложена модель перестройки дивакансий в Si из конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией, как результат миграции межузельных атомов из кластеров дефектов. Обоснована роль межузельных атомов кремния в гистерезисе температурной зависимости подвижности электронов и их участие как в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов, так и в образовании уровней обобщенных конфигураций = The behaviour of the mobility of electrons was described at their diffuse movement in the high-resistivity silicon, grown by the methods of floating zone melting and Czochralski, after irradiation with fast neutrons of reactor and subsequent annealing at room temperature. The temperature dependence of the electron concentration in the silicon samples was calculated in the frame of the improved model of defect clusters. The energy levels of radiation defects in the conductive matrix of n-Si were defined. The role of interstitial silicon atoms in the hysteresis of the temperature dependence of the electron mobility and their participation both in the configurational realignment of divacancies in the defects clusters, and in the formation of the levels of generalized configurations was substantiated. The model of the realignment of divacancies in silicon from the configuration with greater distortion into the configuration with lesser distortion as a result of migration of interstitial atoms from the defect clusters was proposed