Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/182340
Title: Радиационные дефекты в тонких пленках твердых растворов Cu(In,Ga)Se2, облученных ионами водорода
Other Titles: Radiation defects in thin films of Cu(In, Ga)Se2 solid solutions irradiated by hydrogen ions / O.M. Borodavchenko, A.V. Mudryi, V.D. Zhivulko, M.V. Yakushev, M.A. Sulimov
Authors: Бородавченко, О. М.
Мудрый, А. В.
Живулько, В. Д.
Якушев, М. В.
Сулимов, М. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2017
Publisher: Минск: Изд. центр БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 125-127.
Abstract: С помощью рентгенодифракционного метода проанализировано качество кристаллической структуры и фазовый состав тонких пленок Cu(In, Ga)Se2 (CIGSe), сформированных на стеклянных подложках, покрытых Mo. Параметры элементарной ячейки твердых растворов CIGSe были определены с использованием аппроксимации экспериментальных контуров рефлексов отражения функцией Pseudo-Voigt и обработки рентгенограмм методом Ритвельда. Оптические свойства тонких пленок CIGSe, имплантированных ионами водорода с энергиями 2.5 – 10 кэВ и дозами 1014 – 1017 см-2, были исследованы с помощью низкотемпературной (~ 4.2 K) фотолюминесценции (ФЛ). Обнаружено, что имплантация ионов H+ приводит к образованию двух или трех полос в спектрах ФЛ. Природа появления этих полос ФЛ связна с собственными дефектами, образующимися в тонких пленках CIGSe из-за имплантации H+ ионов = The quality crystalline structure and phase composition of Cu(In, Ga)Se2 (CIGSe) thin films fabricated on Mo-coated glass substrates were analyzed by X-ray diffraction. The unit cell parameters of CIGSe solid solutions were determined using the approximation of experimental shape of diffraction peaks by a Pseudo-Voigt function and Rietveld refinement method. The optical properties of CIGSe thin films implanted with 2.5 – 10 keV hydrogen ions to fluencies ranging from 1014 to 1017 cm-2 were studied using the low-temperature (~ 4.2 K) photoluminescence (PL) spectroscopy. It was found that the implantation of H+ ions generated two or three optical bands in the PL spectra. The origin of these PL bands was attributed to intrinsic defects caused by implantation H+ ions in CIGSe thin films
Description: Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182340
ISBN: 978-985-553-446-5
Appears in Collections:2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
125-127.pdf456,28 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.