Ионная имплантация через слой SiO2 и возможность ее применения при изготовлении полупроводниковых приборов

Abstract

Описана новая технология изготовления мощных СВЧ кремниевых n–p–n транзисторов в диапазоне частот ≥1 ГГц, базовые области которых сформированы имплантацией ионов B+ через слой SiO2 и эмиттерные окна с последующим введением в окна ионов P+ и отжигом в атмосфере Ar. Приведены параметры и характеристики таких транзисторов. Рассмотрено формирование карманов n− и p−-типа КМОП-структур с применением маски, состоящей из SiO2. Процесс обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и повышение процента выхода годных КМОП ИС = In this article, ion implantation through the thermal SiO2 and the possibility of its use in the manufacturing of base region of power microwave transistor and as the material of the mask for n−- and p−-wells for CMOS memory circuits is considered. It is established that the ion projected ranges for the n- and p-type dopants obey the empirical relations and, respectively, where is the mask thickness