Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/182295
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Вилья, Н. П. | |
dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | |
dc.contributor.author | Завадский, С. М. | |
dc.contributor.author | Мельников, С. Н. | |
dc.contributor.author | Окоджи, Д. Э. | |
dc.date.accessioned | 2017-09-28T07:51:35Z | - |
dc.date.available | 2017-09-28T07:51:35Z | - |
dc.date.issued | 2017 | |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 438-440. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-553-446-5 | |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/182295 | - |
dc.description | Секция 6. Современное оборудование и технологии | |
dc.description.abstract | Проведены исследования возможности использования аморфных пленок оксида циркония (ZrO2) в качестве high-k диэлектрика для МДП полевых транзисторов. Пленки оксида циркония наносились методом реактивного магнетронного распыления металлической мишени. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и ширины запрещенной зоны от содержания кислорода в Ar/O2 смеси газов в процессе нанесения пленок оксида циркония. Без нагрева подложек и последующего отжига получены пленки оксида циркония с диэлектрической проницаемостью ε = 9 – 14, тангенсом угла диэлектрических потерь tgφ = 0.05 – 0.09 на частоте 1.0 МГц и шириной оптической запрещенной зоны 5.67 – 5.87 эВ. Оптимум концентрации кислорода в процессе нанесения пленок составляет около 17 %. При данной концентрации кислорода пленки характеризуются сравнительно хорошим значением диэлектрической проницаемости, низким значением tgφ и большой шириной запрещенной зоны = The potential for use of amorphous zirconia (ZrO2) thin films as a high-k dielectric for MOSFET devices has been studied. Zirconia thin films were deposited by reactive magnetron sputtering of a metal target. The dependences of the refractive index, the band gap, the dielectric permittivity on the oxygen content in the Ar/O2 gas mixture at deposition of zirconia thin films were determined. Without the heating of the substrates and subsequent annealing, zirconia films with a dielectric constant ε = 9 – 14, a dielectric loss tangent tgφ = 0.05 – 0.09 at a frequency of 1.0 MHz and a width of the optical band gap of 5.67 – 5.87 eV were obtained. Optimum concentration of oxygen during the deposition of films is about 17%. At a given oxygen concentration, the films are characterized by a relatively good dielectric constant, a low value of tgφ, and a large band gap | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск: Изд. центр БГУ | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Формирование пленок оксида циркония методом реактивного магнетронного распыления | |
dc.title.alternative | Deposition of zirconia films by reactive magnetron sputtering / N. Villa, D.A. Golosov, S.M. Zavadski, S.N. Melnikov, J. Okojie | |
dc.type | conference paper | |
Располагается в коллекциях: | 2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
438-440.pdf | 396,4 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.