Структурные и оптические свойства пленок фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами P+ И B+

Abstract

Изучены структурные и оптические свойства пленок фоторезиста ФП9120 на кремниевой подложке, имплантированных ионами P+ и B+ с энергией 60 кэВ в интервале доз имплантации 6·1014–1.2·1016 cм-2 при плотности ионного тока 10 мкA/cм2. Показано, что ионная имплантация при дозе 6·1014 cм-2 приводит к снижению шероховатости поверхности и выравниванию каверн, что обусловлено релаксацией напряжений вблизи границы раздела вследствие разогрева приповерхностного слоя мишени ионной имплантацией. Методом отражательной спектроскопии установлено, что имплантация вышеуказанными ионами не оказывает значительного влияния на отражательные характеристики пленок фоторезиста ФП9120 = Structural and optical properties of FP9120 photoresist films on a silicon substrate implanted by 60 keV P+ and B+ ions are studied with range dose 6·1014–1,2·1016 ions/cm-2 at 10 μA/cm-2. It was found that ion implantation with dose 6·1014 ions/cm-2 leads to reduce surface roughness and cavern alignment. It is caused by strain relaxation near the interface due to the heating of the near-surface target layer by ion implantation. Using spectra of reflection method it was established, that influence of ion implantation by the above ions on reflective characteristics of the FP9120 photoresist films was negligible