Исследование магнитной анизотропии пленок, полученных при имплантации ионов Co+ в Si в магнитном поле

Abstract

При имплантации ионов Co+ в пластины монокристаллического кремния во внешнем магнитном поле были синтезированы тонкие ферромагнитные плёнки силицида кобальта. Исследования методом сканирующей магнитополяриметрии показали, что образцы, имплантированные с дозой от 2.4·1017 ион/см2 до 3·1017 ион/см2, обладают одноосной магнитной анизотропией. Исходя из характера зависимости поля анизотропии от дозы сделано предположение о том, что наведенная магнитная анизотропия в полученных пленках обусловлена направленным упорядочением пар атомов = Thin ferromagnetic cobalt silicide films were synthesized by Co+ implantation into monocrystalline silicon in magnetic field. The results of scanning magnetopolarimetry showed the appearance of uniaxial magnetic anisotropy in samples synthesized with implantation dose from 2.4·1017cm-2 to 3·1017cm-2. Based on the character of the dependence of the anisotropy field on the dose, it is assumed that the induced magnetic anisotropy in the implanted films is caused by directional atomic pair ordering