Наблюдение методом спектральной эллипсометрии аморфного кремния, облученного низкими дозами ионов серебра

Abstract

Представлены результаты исследований методом спектральной эллипсометрии (СЭ) аморфного кремния (α-Si), сформированного на поверхности монокристаллических подложек (c-Si) низкодозовой и низкоэнергетической имплантацией ионов серебра. Имплантация проводилась с энергией 30 кэВ и плотностью ионного тока в пучке (0.1 – 5) мкА/см2 в интервале доз (6.24·1012-1.3·1016) ион/см2 при комнатной температуре облучаемых подложек. Был обнаружен эффект увеличения скорости генерации дефектов с увеличением плотности ионного тока = The results of studies by spectroscopic ellipsometry of amorphous silicon (α-Si) subjected to low-energy implantation of silver ions are presented. Implantation was carried out with an energy of 30 keV at a fluence range (6.241012-1.31016) ions/cm2 and the current density of (0.1-5) A/cm2 at room temperature of the irradiated substrate Si. For the three implantation fluencies of 3.21013, 6.21013 and 1.81014 ions/cm2 irradiation were carried out with various ion current densities ranged from 0.1 to 5 A/cm2. The effect of an increase in the defect generation rate with an increase in the ion current density was observed