Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/181952
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГорбачук, Николай Иванович-
dc.date.accessioned2017-09-27T13:19:10Z-
dc.date.available2017-09-27T13:19:10Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/181952-
dc.description.abstractВ курсе рассматриваются основные понятия физики неравновесных процессов в полупроводниках, механизмы генерации и рекомбинации, диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда. Анализируются спектральные зависимости поглощения оптического излучения и фотопроводимости. Изучаются фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Рассматривается влияние процессов захвата и рекомбинации на пространственное распределение неравновесных носителей заряда, диффузию и дрейф в стационарных и нестационарных состояниях.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleГенерационно-рекомбинационные процессы в полупроводникахru
dc.typesyllabusru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Горбачук_2017-УП_Генерационно рекомбинационные процессы.pdf330 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.