Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/178734Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | |
| dc.contributor.author | Лепешкевич, Г. В. | |
| dc.contributor.author | Жигулин, Д. В. | |
| dc.contributor.author | Наливайко, В. О. | |
| dc.date.accessioned | 2017-08-16T11:22:11Z | - |
| dc.date.available | 2017-08-16T11:22:11Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 276-278. | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/178734 | - |
| dc.description | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния | |
| dc.description.abstract | Исследованы закономерности начальных стадий роста пленок Si1-xGex в горизонтальном реакторе пониженного давления в диапазоне температур 470-570 С | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Исследование начальных стадий роста пленок Si1-хGeх в горизонтальном реакторе пониженного давления | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 276-278.pdf | 524,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.