Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примеси

Abstract

В работе продемонстрирована возможность формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe и ZnS. Использовались «горячие» (550С) условия имплантации ионов Zn, Se и S c последующей высокотемпературной обработкой (900С). Установлено, что после «горячей» имплантации примесей происходит формирование фаз прямозонных полупроводников ZnSe и ZnS в виде наноразмерных (2-15 нм) выделений. Последующая термообработка приводит к существенной перестройке структуры кластеров в имплантированных слоях диоксида кремния - наряду с мелкими выделениями в приповерхностной области наблюдается и формирование крупных кристаллитов (до 50-60 нм) в области максимальных концентраций примесей