Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/178726
Заглавие документа: Эффекты наноструктурирования и флекинга покрытий TiCrN при облучении ионами гелия
Авторы: Константинов, С. В.
Комаров, Ф. Ф.
Стрельницкий, В. Е.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2017
Библиографическое описание источника: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 255-257.
Аннотация: Впервые проведено исследование радиационной стойкости наноструктурированных покрытий TixCr1-xN 0,58≤x≤0,8 при облучении ионами He+ с энергией 500 кэВ в диапазоне флюенсов 5·1016 ион/см2 – 3·1017 ион/см2. Установлено, что покрытия TixCr1-xN 0,8≤x≤0,58 выдерживают облучение без существенных изменений структуры до флюенса 2·1017 ион/см2, при котором происходит частичный флекинг (отшелушивание) покрытий до глубины среднего проективный пробега ионов гелия. Обнаружено уменьшение среднего размера кристаллитов покрытий и уменьшение периода кристаллической решетки покрытий после облучения
Доп. сведения: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178726
Располагается в коллекциях:2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
255-257.pdf439,11 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.