Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник»

Abstract

Исследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей на характеристики транзисторов со структурой «металл – окисел – полупроводник». На пластинах со сформированным геттером токи утечки структур «металл – окисел – полупроводник» площадью 1 ⋅ 10– 4 см2 при напряжении 5 В составляют от 1 ⋅ 10–14 до 1 ⋅ 10–13 А. На достаточно большом количестве (20 %) пластин без геттера наблюдается большой разброс величины тока утечки структур «металл – окисел – полу-проводник» в диапазоне от 5 ⋅ 10–14 до 4 ⋅ 10–5 А. Величина характеристического заряда пробоя для структур, содержащих слой геттера и не содержащих геттер, составляет 6,7 и 5,0 Кл/см–2 соответственно. Для структур без геттерного слоя в распределении Вейбулла характерен «хвост» с низкими значениями заряда пробоя. = The effect of the created getter layer on the metal – oxide – semiconductor transistor parameters has been studied. The leakage current of the metal – oxide – semiconductor structure with a getter layer is from 1 ⋅ 10–14 to 1 ⋅ 10–13 A at the voltage 5 V. For 20 % of the studied plates without getter the leakage current is varying within the range from 5 ⋅ 10–14 to 4 ⋅ 10–5 A. The characteristic breakdown charge of metal – oxide – semiconductor structures with and without getter is 6,7 and 5,0 Kl/cm–2, respectively. For metal – oxide – semiconductor structures without getter a «tail» with low breakdown charges in the Weibull distribution is characteristic.