Electrophoretic Deposition of Hydrophobic1 CdSe Quantum Dots, Nanorods and Nanoplatelets from Their Colloidal Solutions in Nitrobenzene

Abstract

We studied optical properties and morphology of thin electrophoretically deposited films of CdSe nanocrystals of different dimensionality (quantum dots, nanorods, nanoplatelets) with the help of optical absorption spectroscopy and atomic force microscopy. Utilization of nitrobenzene, an organic solvent with high dielectric constant allows rapid and complete electrophoretic deposition of CdSe nanocrystals of different types (quantum dots, nanorods, nanoplatelets) from their colloidal solutions. The high speed of the electrophoretic deposition leads to the formation of thin porous films with irregular structure. The type of studied nanocrystals does not have a significant impact on the morphology of electrophoretically deposited films. Such porous quantum dot films can be perspective for photovoltaic structures due to potentially increased contact area between quantum dots film and a conducting polymer used as a counter-electrode. = С помощью оптической спектроскопии на поглощение и атомно-силовой микроскопии исследованы оптические свойства и морфология электрофоретически осажденных тонких пленок нанокристаллов CdSe различной размерности (квантовые точки, наностержни, нанопластины). Отмечено, что использование нитробензола, органического растворителя с большим показателем диэлектрической проницаемости позволяет проводить быстрое и полное электрофоретическое осаждение нанокристаллов CdSe различных типов (квантовых точек, наностержней и нанопластин) из их коллоидных растворов. Показано, что высокая скорость электрофоретического осаждения приводит к формированию тонких пористых пленок с нерегулярной структурой. Определено, что тип исследуемых кристаллов не оказывает значительного влияния на морфологию электро-форетически осажденных пленок. Подобные пористые пленки из квантовых точек могут выступать в качестве перспективных фотовольтаических структур благодаря развитой площади контакта между пленкой квантовых точек и проводящим полимером, используемым в качестве противоэлектрода.