Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170232
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Komarov, F. | - |
dc.contributor.author | Uglov, V. | - |
dc.contributor.author | Vlasukova, L. | - |
dc.contributor.author | Didyk, A. | - |
dc.contributor.author | Zlotski, S. | - |
dc.contributor.author | Yuvchenko, V. | - |
dc.date.accessioned | 2017-04-05T08:59:35Z | - |
dc.date.available | 2017-04-05T08:59:35Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2015. - Vol. 360. - Pp. 150–155. | ru |
dc.identifier.issn | 0168-583X | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170232 | - |
dc.description.abstract | We have studied structural transformations in pre-damaged GaAs crystals irradiated with high-energy Bi ions (710 MeV, 4.3 x 1012cm-2). The pre-damage has been created via irradiation with swift electrons (4 MeV, 4 x 1017cm-2). A structural disorder in irradiated samples has been investigated by means of selective chemical etching (SCE) and X-ray diffraction (XRD) in combination with the material layer-by-layer removal. Character of lattice deformation in the double-irradiated sample gives an evidence of subsurface region’s swelling. Strong lattice distortion has been found in the region of Bi ion ranges at the depth of about 30 lm. The nature of this effect is discussed | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Elsevier Science Publishing Company, Inc. | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Drastic structure changes in pre-damaged GaAs crystals irradiated with swift heavy ions | ru |
dc.type | journal article | ru |
Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
150-155.PDF | 1,09 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.