Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170220| Заглавие документа: | A New Nanoporous Material Based on Amorphous Silicon Dioxide |
| Авторы: | Vlasukova, L. A. Komarov, F. F. Yuvchenko, V. N. Mil’chanin, O. V. Didyk, A. Yu. Skuratov, V. A. Kislitsyn, S. B. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Allerton Press, Inc. |
| Библиографическое описание источника: | Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. - 2012. - Vol. 76, No. 5. - Pp. 582-587. |
| Аннотация: | Processes for making nanoporous SiO2 layers on Si via the irradiation of thermally oxidized silicon wafers with fast ions followed by chemical treatment in a solution or vapor of hydrofluoric acid are presented. It is shown that the density, shape, diameter, and length-to-diameter ratio of channels etched in silicon dioxide can be controlled by varying the regimes of fast ion irradiation or chemical treatment of SiO2/Si structures. Track parameters calculated using the thermal spike model are compared with the chemical etching data |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170220 |
| ISBN: | 1062-8738; 1934-9432 (online) |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 582-587.PDF | 2,64 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.