Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработке

Abstract

A model was suggested, describing the accelerated silicon oxidation process with its rapid thermal treatment by means of the second duration pulses, taking into consideration energy 1,67 times reduction of the given process activation in the dehydrated oxygen medium as compared with the given value in the commonly accepted model of Deal - Grove. = Установлено, что процесс окисления кремния при фотонной обработке импульсами секунд­ной длительности в парах воды происходит в соответствии с моделью Дила - Гроува с учетом временной зависимости температуры кремниевой пластины. При окислении в среде сухого ки­слорода на начальной стадии имеет место увеличение линейной скорости роста окисной пленки за счет уменьшения энергии активации окисления (E2=1,2 эВ). Процесс начального окисления обусловлен образованием отрицательных ионов кислорода на поверхности окисла за счет туннелирования и термоэлектронной эмиссии. Выведено аналитическое уравнение, описывающее про­цесс окисления кремния с использованием фотонной обработки импульсами секундной длитель­ности.