Локализация импланти­руемых примесей бора и углерода в кремнии

Abstract

Localization of implanted boron and carbon in the silicon crystal nodes depending on current ions density was investigated by X-ray diffraction and electrophysical methods. With increase of current ions density, localization of boron atoms in the nodes grows that is defined by increase of instaneous vacancy concentration and suppression of impurity replacement from the nodes by interstitial Si atoms. = Рентгенодифракционным и электрофизическим методами исследована локализация в узлах и междоузлиях решетки кремния внедряемых примесей бора и углерода в зависимости от плотно­сти тока имплантации. С ее ростом доля примеси в узлах решетки растет, что связано с увеличе­нием мгновенной концентрации вакансий и подавлением эффекта вытеснения примесей из узлов междоузельными атомами кремния.