Logo BSU

Просмотр "2016. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 24 - 43 из 111 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016Государственный центр «Белмикроанализ» – центр коллективного пользования по проведению аналитических исследований при создании инновационных изделий микро- и наноэлектроникиПилипенко, В. А.
2016Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектамПоклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т.
2016Диффузионные процессы в светочувствительной структуре полупроводник-металл-диэлектрикКостко, В. С.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016Изменение морфологии платинового электрода на кремнии под воздействием высоких температурГолосов, Д. А.; Окоджи, Д. Э.; Руденков, А. С.; Завадский, С. М.; Мельников, С. Н.; Колос, В. В.
2016Изменения электрофизических свойств и структуры кристаллов «солнечного» кремния, обусловленные действием магнитных полейСтебленко, Л. П.; Подолян, А. А.; Надточий, А. Б.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Юргелевич, И. В.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н.
2016Изучение взаимодействия лазерного излучения с полупроводниковыми материалами в спецпрактикуме по лазерной обработке материаловЛюдчик, О. Р.; Зайков, В. А.; Михей, В. Н.; Вишневская, Е. В.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2016Исследование допированных детонационных наноалмазов (ДНА) методом электронного парамагнитного резонансаДолматов, В. Ю.; Nguyen, B. T. T.; Лапчук, Н. М.; Козлов, А. С.; Островский, В. А.
2016Исследование методом электротепловой спектрометрии деградации структуры теплового сопротивления транзисторов КП7209 в корпусе ТО-254 при воздействии высокоинтенсивных термоударовБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Рубцевич, И. И.
2016Исследование термостойкости гетероструктур «диэлектрик – GaAs»Телеш, Е. В.
2016Исследование тонкопленочных композиций на основе бутилтитанатов в качестве маскирующих покрытий для наноэлектроникиЛипай, М. С.; Соколов, В. Г.
2016Конкуренция механизмов электропроводности в разупорядоченных манганитах при низких температурахДоросинец, В. А.; Керимова, М. С.
2016Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для внутричиповых оптических межсоединенийЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Дудич, В. В.; Борисенко, В. Е.
2016Лазерно-плазменный источник ионов с регулируемой скоростью для осаждения нанопленокГончаров, М. В.; Пузырев, М. В.; Козлова, Е. И.; Ступакевич, В. Ю.
2016Литиевая интеркаляция массива кремниевых нанонитейНевзоров, С. А.; Гирель, К. В.; Бондаренко, А. В.
2016Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнииТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2016Магнетизм нанокластеров 3d-металлов, полученных методом ионной имплантации в диэлектрической и полупроводниковой матрицахГоловчук, В. И.; Карпович, В. А.; Лукашевич, М. Г.; Харченко, А. А.; Хайбуллин, Р. И.; Оджаев, В. Б.
2016Междучиповые оптические межсоединения на основе кремниевых нано- и микроструктурЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Долбик, А. В.; Лабунов, В. А.; Высоцкий, В. Б.; Шведов, С. В.
2016Методика электротепловой спектрометрии для исследования малых изменений теплового сопротивления полупроводниковых приборов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.