Logo BSU

Просмотр "2016. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 8 - 27 из 111 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016Анализ некоторых аспектов контроля учебного процесса в учреждениях высшего образованияВолобуев, В. С.; Горжанов, В. В.; Дубоделова, Е. В.
2016Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б.
2016Бесконтактное определение пространственного распределения времени жизни неравновесных носителей заряда в кремнии на основе анализа спектральной зависимости поверхностной фотоЭДСЖарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.
2016Быстрая термическая обработка системы TiN/Ti/SiМаркевич, М. И.; Стельмах, В. Ф.; Чапланов, А. М.; Петлицкий, А. Н.; Жигулин, Д. В.
2016Влияние высокотемпературного отжига на свойства тонких пленок оксида цинка, легированного атомами переходных металловШерстнёв, А. И.; Чубенко, Е. Б.; Бондаренко, В. П.
2016Влияние добавки золя SnO2 в электролит меднения на микроструктуру и электропроводность тонких медных пленокКонаков, А. О.; Воробьева, Т. Н.
2016Влияние допирования эрбием на диэлектрические свойства монокристаллов TlInS2Гуртовой, В. Г.; Шелег, А. У.
2016Влияние изовалентной примеси кремния на образование и отжиг комплекса донор – вакансия в германииПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.
2016Влияние обработки поверхности кремния в растворе (NH4)2Sx на зарядовые свойства границы раздела оксид диспрозия-кремнийБабушкина, Н. В.; Малышев, С. А.; Жигулин, Д. В.; Романова, Л. И.
2016Влияние примеси азота на закономерности формирования и термическую стабильность радиационных дефектов в монокристаллах синтетического алмазаГусаков, Г. А.; Мудрый, А. В.; Рогинец, Л. П.
2016Влияние режимов имплантации и термообработок на видимую фотолюминесценцию Zn(Se, S) нанокластеров в SiO2Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Мудрый, А. В.; Wendler, E.
2016Влияние режимов магнетронного распыления на оптические свойства TiAlN покрытий для селективных солнечных поглотителейЗайков, В. А.; Климович, И. М.; Комаров, Ф. Ф.; Королик, О. В.; Людчик, О. Р.
2016Влияние режимов реактивного магнетронного нанесения на структурные и электрофизические свойства покрытий Ti-Al-NКлимович, И. М.; Зайков, В. А.; Семенева, Н. В.
2016Влияние электромагнитных излучений различных частотных диапазонов на структуру воды – одного из основных технологических материалов микро- и наноэлектроникиЛукьяница, В. В.
2016Вольт-фарадные характеристики МОП - структур Me – DyXOY(Ag) – SiO2 – Si c нанокластерами серебраМалютина-Бронская, В. В.; Малышев, С. А.; Романова, Л. И.; Бабушкина, Н. В.; Гущинская, Е. В.
2016Вопросы формирования академических компетенций дисциплины «Инженерная графика» для специальности «Физика наноматериалов и нанотехнологий»Яшкин, В. И.
2016Государственный центр «Белмикроанализ» – центр коллективного пользования по проведению аналитических исследований при создании инновационных изделий микро- и наноэлектроникиПилипенко, В. А.
2016Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектамПоклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т.
2016Диффузионные процессы в светочувствительной структуре полупроводник-металл-диэлектрикКостко, В. С.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.