Разработка физико-технологических основ создания композиционных наноструктур с особым поведением реактивной части импеданса : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ; научный руководитель А.К. Федотов

Abstract

Объектом исследования являются кристаллы сильнолегированного кремния, композиционные наноструктуры на основе пористого кремния (ПК) и наногранулированных пленок Coх(CuOn)100-х. Цель работы – исследование влияния температуры и электрического поля на электрофизические характеристики объектов исследования. Основные методы исследования: вольт-амперные характеристики (ВАХ), температурные зависимости электропроводности, сканирующая электронная микроскопия, микрорентгеноспектральный анализ, спектроскопия комбинационного рассеяния света. В результате проведенных исследований установлены зависимости электросопротивления и ВАХ структур индий/КЭС-0,01, наногетероструктур ПК/Si и наногранулярных композиционных пленок Coх(CuOn)100-х от температуры и фазового состава в температурном диапазоне 2–300 K. Установлено, что в структурах In/Si на основе сильно легированного сурьмой кремния в области 5 – 20 К преобладает моттовский (с переменной длиной прыжка), а ниже 5 К – спин-поляризованный (с постоянной длиной прыжка) механизмы электропереноса. В наногетероструктурах ПК/Si с разной пористостью в области температур 200 – 300 К обнаружены участки проводимости с постоянной энергией активации. В гранулярных композиционных наноструктурах Coх(CuOn)100-х при температурах 2 – 67 К реализуется моттовский прыжковый механизм проводимости.