Перенос носителей заряда при внутризонном поглощении

Abstract

Carrier transport in semiconductor structures at the intraband absorption of photons is modeled by the Monte Carlo method. The diffusion constants resulting from the free-carrier absorption are calculated. The region of acceptability of the diffusion and the ballistic approach for computation of current density is estimated. Методом Монте-Карло проведено моделирование переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах при внутризонном поглощении фотонов. Рассчитаны коэффициенты диффузии, обусловленные внутризонным поглощением. Оценены области применения диффузионного и баллистического приближения для расчета плотности тока.