Неразрушающий контроль параметров Cu(In, Ga)(S, Se)2 -слоя солнечных элементов

Abstract

A simple method for the calculation of Cu(In, Ga)(S, Se)2-layer parameters (space-charge region width and diffusion length) at various stages of the solar cells preparation is proposed. The method is based on the analysis of the photovoltagc spectra in framework of the solar cell one-dimensional model. Предложен способ определения ширины области пространственного заряда и диффузионной длины неосновных носителей заряда в Cu(In, Ga)(S, Se)2-слое солнечных элементов. Метод базируется на анализе спектральных зависимостей фотоЭДС солнечных элементов в рамках одномерной модели. Данный метод применим в качестве экспресс-теста, позволяющего отслеживать эволюцию параметров Cu(In, Ga)(S, Se)2-слоя солнечных элементов на различных стадиях их формирования, начиная с нанесения буферного слоя (формирования р - n-перехода).