Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работы

Abstract

The conditions of conductive channel formation in high doped MOSFETs arc discussed. It is shown that approximation substrate doped profile near surface silicon and of the inversion layer localization takes the opportunity to account for the mobility distribution towards substrate as well as source and drain depletion meet. Рассмотрены условия формирования проводящего канала в МОП-транзисторе с высоким уровнем легирования. Показано, что аппроксимация профиля распределения примесных атомов вблизи поверхности кремния в области локализации инверсионного слоя позволяет оценить подвижность электронов по глубине подложки и влияние концентрации примесей на сквозное обеднение проводящего канала.