Аптычная бістабільнасць у аднамерных фатонных крышталях на аснове GaAs/AlAs слаёў

Abstract

The transmission characteristics of photonic crystals with nonlinear semiconductor layers were investigated on the basis of a transfer matrix method. Computation demonstrated that the transmission characteristics of the nonlinear photonic structures arc rather ambiguous and dependent on whether an incident intensity increases or decreases. This effect of optical bistability can be used for designing of optical switches and limiters. С помощью метода передаточной матрицы были исследованы передаточные характеристики фотонного кристалла с нелинейными полупроводниковыми слоями. Расчеты показали, что пропускные характеристики нелинейных фотонных структур являются неоднозначными при возрастании и уменьшении падающей на структуру волны. Такое явление оптической бистабильности может быть использовано для создания оптических переключателей и ограничителей.