Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/14173
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | - |
dc.contributor.author | Петух, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Цвырко, В. Т. | - |
dc.date.accessioned | 2012-08-13T10:14:04Z | - |
dc.date.available | 2012-08-13T10:14:04Z | - |
dc.date.issued | 2007-01 | - |
dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2007. - № 1. – С. 28-32. | ru |
dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/14173 | - |
dc.description.abstract | Hydrogen donors formation processes are studied in epitaxial silicon implanted with 300 keV protons. Different types of hydrogen donors are formed in dependence on annealing conditions and fiuences. Hydrogen double donors (HDD) are formed on early annealing stage. HDD possess bistability property. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГУ | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Свойства бистабильных водородосодержащих доноров в эпитаксиальном кремнии, имплантированном протонами | ru |
dc.type | article | ru |
Располагается в коллекциях: | 2007, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.