Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/14074Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Понарядов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-08-02T08:59:15Z | - |
| dc.date.available | 2012-08-02T08:59:15Z | - |
| dc.date.issued | 2011-05 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2011. - № 2. – С. 37-41. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/14074 | - |
| dc.description.abstract | It shows, that the vertical scaling of the bipolar integrated microcircuits with application of rapid thermal process ensures enhancement of their gain and dynamic parameters with the simultaneous chip area shrinkage and increase of the good chips yield at the temperature tests. = Показано, что вертикальное масштабирование биполярных интегральных микросхем с применением БТО позволяет улучшить их усилительные и динамические параметры при одновременном уменьшении площади кристалла и увеличении выхода годных кристаллов на температурных испытаниях. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние вертикального масштабирования на статические и динамические параметры биполярных микросхем | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2011, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.