Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/14074Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Понарядов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-08-02T08:59:15Z | - |
| dc.date.available | 2012-08-02T08:59:15Z | - |
| dc.date.issued | 2011-05 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2011. - № 2. – С. 37-41. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/14074 | - |
| dc.description.abstract | It shows, that the vertical scaling of the bipolar integrated microcircuits with application of rapid thermal process ensures enhancement of their gain and dynamic parameters with the simultaneous chip area shrinkage and increase of the good chips yield at the temperature tests. = Показано, что вертикальное масштабирование биполярных интегральных микросхем с применением БТО позволяет улучшить их усилительные и динамические параметры при одновременном уменьшении площади кристалла и увеличении выхода годных кристаллов на температурных испытаниях. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние вертикального масштабирования на статические и динамические параметры биполярных микросхем | ru |
| dc.type | article | ru |
| Appears in Collections: | 2011, №2 (май) | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.