Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133963
Заглавие документа: | Формирование металлических наноструктур в слоях si и sige импульсным лазерным воздействием для применения в фотоприемных устройствах : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ; научный руководитель Прокопьев С.Л. |
Авторы: | Прокопьев, С. Л. Новиков, А. Г. Шевцова, В. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия |
Дата публикации: | 2015 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объектом исследования НИР являлись разработка режимов формирования и изготовление структур (приготовление коллоидных растворов) с нанокластерами Ag и Au и исследование их структурных, оптических и электрофизических свойств. Целью работы являлось формирование фотоприемных структур на основе слоев Si и SiGe сплавов, легированных Ag и Au. Основные методы исследований: просвечивающая электронная микроскопия, оптическая спектроскопия, электрофизические методы измерения слоевого сопротивления. В процессе работы использовались приборы: электронный микроскоп ЭМ-125, спектрометр Specord M-40, измеритель удельного сопротивления ИУС-3, установка для быстрых термических обработок JetFirst 100, установка импульсной лазерной обработки «Прометей». В результате проведенной работы разработаны режимы формирования и изготовлены структуры (приготовлены коллоидные растворы) с нанокластерами Ag и Au; проведен анализ структуры и фазового состояния слоев Si и SiGe после имплантации ионами Ag и Au; получены закономерности изменения их оптических и электрофизических свойств во взаимосвязи со структурным состоянием в том числе после быстрых термических и импульсных лазерных обработок. Также проведено численное моделирование электромагнитного поля в окружности нанокластеров с Ag и Au. Разработанные режимы формирования тонких слоев сплавов на основе Si, Ge, Ag, Au будут использованы в рамках последующих НИР и ОКР по созданию фотоприемных устройств с улучшенными характеристиками, совместимых с интегральной технологией. Такие фотоприемные полупроводниковые устройства применяются в телекоммуникационных отраслях промышленности и быту в качестве датчиков оптического излучения, в качестве датчиков позиционирования различных устройств и механизмов, телеметрии (контроль температуры, чистоты поверхностей и др.), в медицине, а также в научных исследованиях. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133963 |
Регистрационный номер: | № гос. регистрации 20131547 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2015 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20131547 Прокопьев.doc | 7,06 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.