Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/133808
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorИвлев, Г. Д.-
dc.contributor.authorЗайков, В. А.-
dc.contributor.authorКлимович, И. М.-
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorЛюдчик, О. Р.-
dc.date.accessioned2016-01-12T08:43:49Z-
dc.date.available2016-01-12T08:43:49Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationКвантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 187.ru
dc.identifier.isbn978-985-500-903-1-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/133808-
dc.description.abstractИсследовались особенности модификации тонких (0,5 мкм) плёнок TiAlN/Si воздействием наносекундного (70 нс) излучения рубинового лазера.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : РИВШru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleВлияние наносекундного лазерного облучения на состояние тонких плёнок TiAlN/Si.ru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2015. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
187_Ivlev.pdf450,89 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.