Модификация вклада в релаксацию фотоотклика термоэмиссии с дефектов в электретном состоянии монокристалла TlGaSe2.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/133726

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Одринский, А. П.	-
dc.contributor.author	Мамедов, Т. Г.	-
dc.contributor.author	Seyidov, М. H. Yu.	-
dc.contributor.author	Алиева, В. Б.	-
dc.date.accessioned	2016-01-05T08:42:31Z	-
dc.date.available	2016-01-05T08:42:31Z	-
dc.date.issued	2015	-
dc.identifier.citation	Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 62-63.	ru
dc.identifier.isbn	978-985-500-903-1	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/133726	-
dc.description.abstract	Исследовалась термоэмиссия с дефектов А3 и А4 в области температуры параэлектрического состояния кристалла TlGaSe2.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	Минск : РИВШ	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника	ru
dc.title	Модификация вклада в релаксацию фотоотклика термоэмиссии с дефектов в электретном состоянии монокристалла TlGaSe2.	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2015. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
062_Odrinsky.pdf		524,15 kB	Adobe PDF	View/Open