Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133726
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Одринский, А. П. | - |
dc.contributor.author | Мамедов, Т. Г. | - |
dc.contributor.author | Seyidov, М. H. Yu. | - |
dc.contributor.author | Алиева, В. Б. | - |
dc.date.accessioned | 2016-01-05T08:42:31Z | - |
dc.date.available | 2016-01-05T08:42:31Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 62-63. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-500-903-1 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133726 | - |
dc.description.abstract | Исследовалась термоэмиссия с дефектов А3 и А4 в области температуры параэлектрического состояния кристалла TlGaSe2. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : РИВШ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.title | Модификация вклада в релаксацию фотоотклика термоэмиссии с дефектов в электретном состоянии монокристалла TlGaSe2. | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
062_Odrinsky.pdf | 524,15 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.