Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/133691Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Корниенко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Дунина, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Фомичева, Л. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-04T11:58:00Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-04T11:58:00Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 47-48. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-500-903-1 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/133691 | - |
| dc.description.abstract | Выполнено описание сил линий абсорбционных переходов с учетом межконфигурационного взаимодействия. Силы линий абсорбционных переходов вычислялись в приближении аномально сильного конфигурационного взаимодействия. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : РИВШ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Влияние возбужденных конфигураций на силы линий абсорбционных переходов иона тербия в оксидных кристаллах. | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 047_Kornienko.pdf | 437,9 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.