Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/133691
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКорниенко, А. А.-
dc.contributor.authorДунина, Е. Б.-
dc.contributor.authorФомичева, Л. А.-
dc.date.accessioned2016-01-04T11:58:00Z-
dc.date.available2016-01-04T11:58:00Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationКвантовая электроника: Материалы X Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 9–13 нояб. 2015 г. – Минск, 2015. – С. 47-48.ru
dc.identifier.isbn978-985-500-903-1-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/133691-
dc.description.abstractВыполнено описание сил линий абсорбционных переходов с учетом межконфигурационного взаимодействия. Силы линий абсорбционных переходов вычислялись в приближении аномально сильного конфигурационного взаимодействия.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : РИВШru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleВлияние возбужденных конфигураций на силы линий абсорбционных переходов иона тербия в оксидных кристаллах.ru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2015. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
047_Kornienko.pdf437,9 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.