Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. НИИ Физико-химических проблем БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр "НИИ Физико-химических проблем БГУ" Авторы Рагойша, Г. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 8 из 8
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2010Импедансная спектроскопия на вращающемся дисковом электродеЧулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2012Многофакторная потенциодинамическая электрохимическая характеризация полупроводниковых наногетероструктур TiO2/PbS, ZnO/PbS и ZnO/CdSРагойша, Г. А.; Чулкин, П. В.; Рабчинский, С. М.; Стрельцов, Е. А.; Строюк, А. Л.; Кучмий, С. Я.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2015Электрохимические свойства пленочных электродов оксид олова(IV) - оксид графенаБондаренко, Е. А.; Чулкин, П. В.; Авчинникова, Т. А.; Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.
2018Электрохимическое модифицирование Bi 2 Te 3 и гетероструктур Bi 2 Te 3 –Te адатомными слоями PbБоковец, А. С.; Анискевич, Е. Н.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2021Электрохимия материалов (Bi 2) m (Bi 2Te 3) n со сверхрешеточной структуройБоковец, А. С.; Анискевич, Е. Н.; Рагойша, Г. А.; Цынцару, Н.; Цесиулис, Х.; Стрельцов, Е. А.
Результаты 1 - 8 из 8